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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | QFP |
| 包装说明： | QFP-132 | 针数： | 132 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.85 |
| 最长访问时间： | 25 ns | 其他特性： | BATTERY BACKUP OPERATION |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-PQFP-G132 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 8192 bit |
| 内存集成电路类型： | FOUR-PORT SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 4 |
| 端子数量： | 132 | 字数： | 1024 words |
| 字数代码： | 1000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 1KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QFP |
| 封装等效代码： | PGA108,12X12 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLATPACK | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.015 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.35 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7050S25PF | ETC |
获取价格 |
Quad-Port SRAM |
|
| IDT7050S25PG | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PPGA108, PLASTIC, PGA-108 |
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| IDT7050S30EB | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 1KX8, 30ns, CQFP132, QFP-132 |
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| IDT7050S30G | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 30ns, CMOS, CPGA108 |
|
| IDT7050S30GB | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 1KX8, 30ns, CMOS, CPGA108, CAVITY-UP, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-108 |
|
| IDT7050S30PF | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 30ns, CMOS, PQFP132 |
|
| IDT7050S30PG | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 1KX8, 30ns, CMOS, PPGA108, PLASTIC, PGA-108 |
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| IDT7050S35EB | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CQFP132, QFP-132 |
|
| IDT7050S35G | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CPGA108 |
|
| IDT7050S35GB | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CPGA108, CAVITY-UP, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-108 |
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