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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | PGA | 包装说明： | PLASTIC, PGA-108 |
| 针数： | 108 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.91 | 最长访问时间： | 25 ns |
| 其他特性： | BATTERY BACKUP OPERATION | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PPGA-P108 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 8192 bit | 内存集成电路类型： | FOUR-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 4 | 端子数量： | 108 |
| 字数： | 1024 words | 字数代码： | 1000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | PGA | 封装等效代码： | PGA108,12X12 |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.015 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.35 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | PERPENDICULAR |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7050S30EB | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 1KX8, 30ns, CQFP132, QFP-132 |
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| IDT7050S30G | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 30ns, CMOS, CPGA108 |
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| IDT7050S30GB | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 1KX8, 30ns, CMOS, CPGA108, CAVITY-UP, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-108 |
|
| IDT7050S30PF | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 30ns, CMOS, PQFP132 |
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| IDT7050S30PG | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 1KX8, 30ns, CMOS, PPGA108, PLASTIC, PGA-108 |
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| IDT7050S35EB | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CQFP132, QFP-132 |
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| IDT7050S35G | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CPGA108 |
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| IDT7050S35GB | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CPGA108, CAVITY-UP, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-108 |
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| IDT7050S35PF | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, PQFP132 |
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| IDT7050S35PG | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, PPGA108, PLASTIC, PGA-108 |
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