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IDT7050S35G

更新时间: 2024-11-28 20:28:19
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 510K
描述
Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CPGA108

IDT7050S35G 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.87最长访问时间:35 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:S-XPGA-P108
JESD-609代码:e0内存密度:8192 bit
内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM内存宽度:8
端口数量:4端子数量:108
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:PGA封装等效代码:PGA108,12X12
封装形状:SQUARE封装形式:GRID ARRAY
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.015 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.335 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:PIN/PEG
端子节距:2.54 mm端子位置:PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间:6Base Number Matches:1

IDT7050S35G 数据手册

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