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IDT7050L35GB

更新时间： 2024-11-28 20:32:55

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	247K
描述
Four-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CPGA108, CAVITY-UP, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-108

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IDT7050L35GB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	PGA	包装说明：	CAVITY-UP, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-108
针数：	108	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.91	最长访问时间：	35 ns
其他特性：	BATTERY BACKUP OPERATION	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-CPGA-P108	JESD-609代码：	e0
长度：	30.48 mm	内存密度：	8192 bit
内存集成电路类型：	FOUR-PORT SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	4
端子数量：	108	字数：	1024 words
字数代码：	1000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	1KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	PGA
封装等效代码：	PGA108,12X12	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：	5.207 mm	最大待机电流：	0.0018 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.33 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	PERPENDICULAR	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	30.48 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7050L35PF	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, PQFP132
IDT7050L45EB	IDT	获取价格	Four-Port SRAM, 1KX8, 45ns, CQFP132, QFP-132
IDT7050L45G	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 45ns, CMOS, CPGA108
IDT7050L45GB	IDT	获取价格	Four-Port SRAM, 1KX8, 45ns, CMOS, CPGA108, CAVITY-UP, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-108
IDT7050L45PF	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 45ns, CMOS, PQFP132
IDT7050L45PG	IDT	获取价格	Four-Port SRAM, 1KX8, 45ns, CMOS, PPGA108, PLASTIC, PGA-108
IDT7050S25G	IDT	获取价格	Four-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQFP132, QFP-132
IDT7050S25PF	ETC	获取价格	Quad-Port SRAM
IDT7050S25PG	IDT	获取价格	Four-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PPGA108, PLASTIC, PGA-108
IDT7050S30EB	IDT	获取价格	Four-Port SRAM, 1KX8, 30ns, CQFP132, QFP-132