Datasheet > IDT6116SA150L24B

IDT6116SA150L24B

更新时间： 2024-11-05 20:48:47

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	324K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CMOS, CQCC24, LCC-24

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT6116SA150L24B 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	LCC
包装说明：	LCC-24	针数：	24
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.71
最长访问时间：	150 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CQCC-N24	JESD-609代码：	e0
长度：	10.16 mm	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	24	字数：	2048 words
字数代码：	2000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	2KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCN	封装等效代码：	LCC24,.3X.4
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	3.048 mm
最大待机电流：	0.01 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT6116SA150L28B	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT6116SA150L28BG8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT6116SA150L32B8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CMOS, CQCC32, LCC-32
IDT6116SA150P	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116SA150PB	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116SA150SO	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116SA150SOB	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116SA150TD	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116SA150TDB	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116SA150TP	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)