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IDT6116SA15SO8

更新时间： 2024-11-27 13:20:11
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 112K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 15ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24

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IDT6116SA15SO8 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：0.300 INCH, SOIC-24
针数：24Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.21最长访问时间：15 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G24
JESD-609代码：e0长度：15.4 mm
内存密度：16384 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：1
功能数量：1端口数量：1
端子数量：24字数：2048 words
字数代码：2000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：2KX8输出特性：3-STATE
可输出：YES封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP24,.4
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.65 mm最大待机电流：0.002 A
最小待机电流：4.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.15 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：7.5 mmBase Number Matches：1

IDT6116SA15SO8 数据手册

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CMOS Static RAM  
16K (2K x 8-Bit)  
IDT6116SA  
IDT6116LA  
Features  
Description  
The IDT6116SA/LA is a 16,384-bit high-speed static RAM  
organized as 2K x 8. It is fabricated using IDT's high-performance,  
high-reliabilityCMOStechnology.  
◆
High-speed access and chip select times  
– Military:20/25/35/45/55/70/90/120/150ns(max.)  
– Industrial:20/25/35/45ns(max.)  
– Commercial:15/20/25/35/45ns(max.)  
Low-power consumption  
Battery backup operation  
– 2V data retention voltage (LA version only)  
Produced with advanced CMOS high-performance  
technology  
CMOS process virtually eliminates alpha particle soft-error consumesonly1µWto4µWoperatingoffa2Vbattery.  
Access times as fastas 15ns are available. The circuitalsooffers a  
reduced power standby mode. When CS goes HIGH, the circuit will  
automatically go to, and remain in, a standby power mode, as long  
as CS remains HIGH. This capability provides significant system level  
power and cooling savings. The low-power (LA) version also offers a  
battery backup data retention capability where the circuit typically  
◆
◆
◆
◆
rates  
AllinputsandoutputsoftheIDT6116SA/LAareTTL-compatible.Fully  
static asynchronous circuitry is used, requiring no clocks or refreshing  
foroperation.  
TheIDT6116SA/LAispackagedin24-pin600and300milplasticor  
ceramicDIP,24-leadgull-wingSOIC,and24-leadJ-bendSOJproviding  
highboard-levelpackingdensities.  
◆
◆
◆
Input and output directly TTL-compatible  
Static operation: no clocks or refresh required  
Available in ceramic and plastic 24-pin DIP, 24-pin Thin Dip,  
24-pin SOIC and 24-pin SOJ  
◆
Military product compliant to MIL-STD-833, Class B  
Military grade product is manufactured in compliance to the latest  
version of MIL-STD-883, Class B, making it ideally suited to military  
temperatureapplicationsdemandingthehighestlevelofperformanceand  
reliability.  
FunctionalBlockDiagram  
A 0  
CC  
V
128 X 128  
MEMORY  
ARRAY  
ADDRESS  
DECODER  
GND  
A 10  
I/O 0  
I/O CONTROL  
INPUT  
DATA  
CIRCUIT  
I/O7  
,
CS  
CONTROL  
CIRCUIT  
OE  
WE  
3089 drw 01  
FEBRUARY 2001  
1
©2000IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
DSC-3089/03  
1234567...11

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IDT6116SA15SO8 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IDT6116SA15SO IDT

完全替代

 CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116SA15SOG IDT

功能相似

 Standard SRAM, 2KX8, 15ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24

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