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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | QFJ |
| 包装说明： | QCCN, | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.71 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 150 ns |
| JESD-30 代码： | R-CQCC-N32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 13.97 mm | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 2KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | QCCN | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.048 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 11.43 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT6116SA150P | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
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| IDT6116SA150PB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
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| IDT6116SA150SO | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
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| IDT6116SA150SOB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
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| IDT6116SA150TD | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
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| IDT6116SA150TDB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
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| IDT6116SA150TP | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
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| IDT6116SA150TPB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
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| IDT6116SA150Y | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
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| IDT6116SA150YB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
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