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IDT6116SA15L24

更新时间： 2024-11-27 20:48:47

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	324K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 15ns, CMOS, CQCC24, LCC-24

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IDT6116SA15L24 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	LCC
包装说明：	LCC-24	针数：	24
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	15 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-CQCC-N24
JESD-609代码：	e0	长度：	10.16 mm
内存密度：	16384 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	24
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	QCCN
封装等效代码：	LCC24,.3X.4	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.048 mm
最大待机电流：	0.002 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT6116SA15L28	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 15ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT6116SA15L288	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 15ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT6116SA15L328	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 15ns, CMOS, CQCC32, LCC-32
IDT6116SA15P	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116SA15PB	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116SA15SO	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116SA15SO8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 15ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24
IDT6116SA15SOB	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116SA15SOG	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 15ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24
IDT6116SA15SOG8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 15ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24