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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOJ | 包装说明： | 0.300 INCH, SOJ-24 |
| 针数： | 24 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.38 | 最长访问时间： | 15 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-J24 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 15.88 mm |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 2KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ |
| 封装等效代码： | SOJ24,.34 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3.76 mm |
| 最大待机电流： | 0.002 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.15 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT6116SA15YGI8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 15ns, CMOS, PDSO24 |
|
| IDT6116SA19F | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CDFP24, FP-24 |
|
| IDT6116SA19L28G | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 |
|
| IDT6116SA19L32G | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
|
| IDT6116SA19P | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24 |
|
| IDT6116SA19SOG | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, PDSO24, SOIC-24 |
|
| IDT6116SA19TDG | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, THIN, CERDIP-24 |
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| IDT6116SA20D | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
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| IDT6116SA20DB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
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| IDT6116SA20E | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CDFP24, 0.300 INCH, CERPACK-24 |
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