5秒后页面跳转
IDT6116SA20L288 PDF预览

IDT6116SA20L288

更新时间: 2024-11-06 19:26:19
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 323K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CQCC28, LCC-28

IDT6116SA20L288 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:QLCC
包装说明:QCCN,针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.14
最长访问时间:19 nsJESD-30 代码:S-CQCC-N28
JESD-609代码:e0长度:11.43 mm
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:QCCN
封装形状:SQUARE封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.54 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD宽度:11.43 mm
Base Number Matches:1

IDT6116SA20L288 数据手册

 浏览型号IDT6116SA20L288的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IDT6116SA20L288的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IDT6116SA20L288的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IDT6116SA20L288的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IDT6116SA20L288的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IDT6116SA20L288的Datasheet PDF文件第7页 

与IDT6116SA20L288相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT6116SA20L28B IDT

获取价格

Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT6116SA20L28B8 IDT

获取价格

Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT6116SA20L32 IDT

获取价格

Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CQCC32, LCC-32
IDT6116SA20L32B8 IDT

获取价格

Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CQCC32, LCC-32
IDT6116SA20P IDT

获取价格

CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116SA20PB IDT

获取价格

CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116SA20PG IDT

获取价格

Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24
IDT6116SA20PI IDT

获取价格

CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116SA20SO IDT

获取价格

CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116SA20SOB IDT

获取价格

CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)