是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | 0.300 INCH, SOIC-24 |
针数: | 24 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.23 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 20 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G24 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 15.4 mm | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 2KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP24,.4 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.65 mm |
最大待机电流: | 0.002 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.13 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 7.5 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT6116SA20TD | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) | |
IDT6116SA20TDB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) | |
IDT6116SA20TP | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) | |
IDT6116SA20TPB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) | |
IDT6116SA20TPG | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24 | |
IDT6116SA20TPGI | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24 | |
IDT6116SA20TPI | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) | |
IDT6116SA20Y | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) | |
IDT6116SA20Y8 | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 | |
IDT6116SA20YB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |