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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP, SOP24,.4 | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.24 |
| 最长访问时间： | 20 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G24 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 15.4 mm | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 2KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP24,.4 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 2.65 mm |
| 最大待机电流： | 0.002 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.13 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 7.5 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT6116SA20SOGI | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24 |
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| IDT6116SA20SOI | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
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| IDT6116SA20TD | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
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| IDT6116SA20TDB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
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| IDT6116SA20TP | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
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| IDT6116SA20TPB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
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| IDT6116SA20TPG | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24 |
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| IDT6116SA20TPGI | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24 |
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| IDT6116SA20TPI | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
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| IDT6116SA20Y | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
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