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IDB30E60

更新时间: 2024-11-02 02:51:43
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英飞凌 - INFINEON 整流二极管开关快速恢复二极管
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9页 200K
描述
Fast Switching EmCon Diode

IDB30E60 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:End Of Life零件包装代码:TO-220
包装说明:GREEN, PLASTIC, TO-220SMD, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.69
Is Samacsys:N应用:FAST RECOVERY
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):2 V
JESD-30 代码:R-PSSO-G2湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:117 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:52.3 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:600 V最大反向恢复时间:0.126 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

IDB30E60 数据手册

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IDP30E60  
IDB30E60  
Fast Switching EmCon Diode  
Product Summary  
Feature  
V
600  
30  
V
A
V
RRM  
600 V EmCon technology  
Fast recovery  
Soft switching  
Low reverse recovery charge  
Low forward voltage  
175°C operating temperature  
Easy paralleling  
I
F
V
T
1.5  
175  
F
°C  
jmax  
P-TO220-3.SMD  
P-TO220-2-2.  
Type  
Package  
Ordering Code Marking Pin 1 PIN 2 PIN 3  
Q67040-S4488  
P-TO220-3.SMD Q67040-S4376  
C
NC  
A
C
-
A
IDP30E60  
IDB30E60  
P-TO220-2-2.  
D30E60  
D30E60  
Maximum Ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Continous forward current  
Symbol  
Value  
600  
Unit  
V
A
V
RRM  
I
F
T =25°C  
52.3  
34.9  
C
T =90°C  
C
Surge non repetitive forward current  
I
I
117  
FSM  
FRM  
T =25°C, t =10 ms, sine halfwave  
C
p
Maximum repetitive forward current  
81  
T =25°C, t limited by T  
, D=0.5  
C
p
jmax  
W
Power dissipation  
P
tot  
T =25°C  
142.9  
80.9  
C
T =90°C  
C
-55...+175  
255  
°C  
°C  
Operating and storage temperature  
T , T  
j stg  
S
Soldering temperature  
T
1.6mm(0.063 in.) from case for 10s  
Page 1  
Rev.2  
2003-07-31  

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