IDC08S60CE

更新时间： 2024-09-30 11:14:59

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英飞凌 - INFINEON		整流二极管肖特基二极管
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4页	106K
描述
2nd generation thinQ!TM SiC Schottky Diode

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IDC08S60CE 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIE
包装说明：	R-XUUC-N1	针数：	1
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.40	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	其他特性：	SNUBBER DIODE
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON CARBIDE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.7 V	JESD-30 代码：	R-XUUC-N1
最大非重复峰值正向电流：	59 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	8 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	600 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IDC08S60CE 数据手册

IDC08S60CE

2^ndgeneration thinQ!^TMSiC Schottky Diode

Features:

Applications:

SMPS, PFC, snubber

•

Revolutionary semiconductor material -

•

Silicon Carbide

•

Switching behavior benchmark

No reverse recovery

No temperature influence on the switching

behavior

•

No forward recovery

High surge current capability

Chip Type

IDC08S60CE

V_BR

600V

I_F

Die Size

1.658 x 1.52 mm²

Package

sawn on foil

Mechanical Parameter

Raster size

1.658x 1.52

mm²

Anode pad size

Area total

1.421 x 1.283

2.52

355

100

Thickness

µm

Wafer size

Max. possible chips per wafer

Passivation frontside

Anode metal

2682

Photoimide

3200 nm Al

Ni Ag –system

Cathode metal

Die bond

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, ≤ 350µm

≥ 0.3 mm

Reject ink dot size

Store in original container, in dry nitrogen, in dark

Recommended storage environment

environment, < 6 month at an ambient temperature of 23°C

Edited by INFINEON Technologies, AIM IMM, Edition 1.1, 27.01.2009

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