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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIE |
| 包装说明： | R-XUUC-N1 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.40 | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON CARBIDE |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.7 V |
| JESD-30 代码： | R-XUUC-N1 | 最大非重复峰值正向电流： | 42 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 5 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 600 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDC06S60C | INFINEON |
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2nd generation thinQ! SiC Schottky Diode |
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| IDC06S60CE | INFINEON |
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2nd generation thinQ!TM SiC Schottky Diode |
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| IDC08D120T6M | INFINEON |
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Diode EMCON 4 Medium Power Chip |
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| IDC08D120T6MX1SA2 | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1200V V(RRM), Silicon, 3.41 X 2.20 MM, DIE-1 |
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| IDC08D120T8M | INFINEON |
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快速开关发射极控制二极管，用于低/中功率模块。 |
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| IDC08S120 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 7.5A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, |
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| IDC08S120E | INFINEON |
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1200V thinQ!TM SiC Schottky Diode |
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| IDC08S120EX1SA3 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 7.5A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, 2.012 |
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| IDC08S60C | INFINEON |
获取价格 |
2nd generation thinQ! SiC Schottky Diode |
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| IDC08S60CE | INFINEON |
获取价格 |
2nd generation thinQ!TM SiC Schottky Diode |
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