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IDC08S120

更新时间： 2024-09-30 19:56:59

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英飞凌 - INFINEON		高压二极管
页数	文件大小	规格书
5页	70K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 7.5A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide,

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IDC08S120 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	S-XUUC-N1
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.40	风险等级：	5.82
应用：	HIGH VOLTAGE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON CARBIDE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	S-XUUC-N1	最大非重复峰值正向电流：	33 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	1	最大输出电流：	7.5 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	UNCASED CHIP	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1200 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

IDC08S120 数据手册

IDC08S120

1200V thinQ!^TMSiC Schottky Diode

Features:

Applications:

Revolutionary Semiconductor Material -

Silicon Carbide

Switching Behaviour Benchmark

No Reverse Recovery / No Forward

Recovery

Motor Drives / Solar Inverters

High Voltage CCM PFC

Switch Mode Power Supplies

High Voltage Multipliers

Temperature Independent Switching

Behaviour

Qualified According to JEDEC Based on

Target Applications

Chip Type

V_BR

I_F

Die Size

Package

1200V 7.5A 2.012 x 2.012 mm²

sawn on foil

IDC08S120

MECHANICAL PARAMETERS

Raster size

2.012 x 2.012

mm²

Anode pad size

Area total / active

Thickness

1.476 x 1.476

4.05 / 3

362

µm

deg

Wafer size

Flat position

Max. possible chips per wafer

Passivation frontside

Pad metal

901 pcs

Photoimide

3200 nm Al

1400 nm Ni Ag –system

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Backside metal

Die bond

Electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, £ 350µm

Æ ³ 0.3 mm

Reject ink dot size

Store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month at an ambient temperature of 23°C

Recommended storage environment

Edited by INFINEON Technologies, AIM PMD D CID CLS, Rev. 2.0, 28.02.2007

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