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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIE |
| 包装说明： | R-XUUC-N1 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.40 | 风险等级： | 5.84 |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON CARBIDE | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.9 V | JESD-30 代码： | R-XUUC-N1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 32 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 4 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 600 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDC04S60CEX1SA1 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 4A, 600V V(RRM), Silicon Carbide, 1.146 X 0 |
|
| IDC05S120 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, |
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| IDC05S120E | INFINEON |
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1200V thinQ!TM SiC Schottky Diode |
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| IDC05S60C | INFINEON |
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2nd generation thinQ! SiC Schottky Diode |
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| IDC05S60CE | INFINEON |
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2nd generation thinQ!TM SiC Schottky Diode |
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| IDC06S60C | INFINEON |
获取价格 |
2nd generation thinQ! SiC Schottky Diode |
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| IDC06S60CE | INFINEON |
获取价格 |
2nd generation thinQ!TM SiC Schottky Diode |
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| IDC08D120T6M | INFINEON |
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Diode EMCON 4 Medium Power Chip |
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| IDC08D120T6MX1SA2 | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1200V V(RRM), Silicon, 3.41 X 2.20 MM, DIE-1 |
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| IDC08D120T8M | INFINEON |
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快速开关发射极控制二极管，用于低/中功率模块。 |
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