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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | BGA, BGA119,7X17,50 | 针数： | 119 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.51 |
| 最长访问时间： | 2 ns | 其他特性： | LATE WRITE |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PBGA-B119 |
| 长度： | 22 mm | 内存密度： | 4718592 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 18 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 119 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX18 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA | 封装等效代码： | BGA119,7X17,50 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 2.5,3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 2.679 mm |
| 最大待机电流： | 0.1 A | 最小待机电流： | 3.14 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.415 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.63 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IBM0418A41NLAB-3N | IBM |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX18, 2ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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| IBM0418A41QLAA-3 | ETC |
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x18 Fast Synchronous SRAM |
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| IBM0418A41QLAA-3N | ETC |
获取价格 |
x18 Fast Synchronous SRAM |
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| IBM0418A41QLAA-4 | ETC |
获取价格 |
x18 Fast Synchronous SRAM |
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| IBM0418A41QLAA-5 | ETC |
获取价格 |
x18 Fast Synchronous SRAM |
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| IBM0418A41QLAB-3 | IBM |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX18, 1.7ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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| IBM0418A41QLAB-3F | IBM |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX18, 1.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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| IBM0418A41QLAB-3N | IBM |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX18, 1.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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| IBM0418A41QLAB-3P | IBM |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX18, 1.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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| IBM0418A41QLAB-4 | IBM |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX18, 2ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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