Datasheet > IBM0418A4ACLAA-4P

IBM0418A4ACLAA-4P

更新时间： 2024-01-10 04:22:29

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国际商业机器公司 - IBM		静态存储器输出元件内存集成电路
页数	文件大小	规格书
26页	357K
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Standard SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

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IBM0418A4ACLAA-4P 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	End Of Life	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA, BGA119,7X17,50	针数：	119
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	4.2 ns
其他特性：	LATCHED OUTPUTS	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B119	JESD-609代码：	e0
长度：	22 mm	内存密度：	4718592 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	18
功能数量：	1	端子数量：	119
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	256KX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA119,7X17,50
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.9,3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.679 mm	最大待机电流：	0.065 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.37 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

IBM0418A4ACLAA-4P 数据手册

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IBM0418A4ACLAA IBM0418A8ACLAA

IBM0436A8ACLAA IBM0436A4ACLAA

8Mb (256Kx36 & 512Kx18) and 4Mb (128Kx36 & 256Kx18) SRAM

Features

• 8Mb: 256K x 36 or 512K x 18 organizations

4Mb: 128K x 36 or 256K x 18 organizations

• Latched Outputs

• Common I/O

• 0.25 Micron CMOS technology

• Asynchronous Output Enable and Power Down

Inputs

• Synchronous Register-Latch Mode of Operation

with Self-Timed Late Write

• Boundary Scan using limited set of JTAG

1149.1 functions

• Single Differential HSTL Clock

• +3.3V Power Supply, Ground, 2.0 Volt max

• Byte Write Capability & Global Write Enable

and 0.85 Volt V

DDQ,

REF

• 7 x 17 Bump Ball Grid Array Package with

SRAM JEDEC Standard Pinout and Boundary

SCAN Order

• HSTL Input and Output levels

• Registered Addresses, Write Enables, Synchro-

nous Select, and Data Ins

• Programmable Impedance Output Drivers

Description

The 4Mb and 8Mb SRAMS—IBM0436A4ACLAA,

IBM0436A8ACLAA, IBM0418A4ACLAA, and

ing edge of the K clock, all Addresses, Write-

Enables, Sync Select, and Data Ins are registered

internally. Data Outs are updated from output regis-

ters off the falling edge of the K clock. An internal

Write buffer allows write data to follow one cycle

after addresses and controls. The device is oper-

ated with a single +3.3V power supply and is com-

patible with HSTL I/O interfaces.

IBM0418A8ACLAA—are Synchronous Register-

Latch Mode, high-performance CMOS Static Ran-

dom Access Memories that are versatile, have wide

I/O, and can achieve 4.2 ns cycle times. Differential

K clocks are used to initiate the read/write operation

and all internal operations are self-timed. At the ris-

trlh3320.04

01/01

Use is further subject to the provisions at the end of this document.

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IBM0418A4ACLAB-4P	IBM	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IBM0418A4ACLAB-5	IBM	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
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