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IBM0418A81BLAB-5

更新时间： 2024-02-19 11:49:58

品牌	Logo	应用领域
国际商业机器公司 - IBM		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
25页	139K
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Standard SRAM, 512KX18, 2.25ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

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IBM0418A81BLAB-5 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
零件包装代码：	BGA	包装说明：	BGA, BGA119,7X17,50
针数：	119	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.31	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	2.25 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B119	JESD-609代码：	e0
长度：	22 mm	内存密度：	9437184 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	18
功能数量：	1	端子数量：	119
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	512KX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA119,7X17,50
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	电源：	1.5/1.8,2.5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.679 mm
最大待机电流：	0.1 A	最小待机电流：	2.37 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.35 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.625 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

IBM0418A81BLAB-5 数据手册

IBM0418A81BLAB IBM0436A81BLAB

IBM0418A41BLAB IBM0436A41BLAB

Preliminary

Features

8Mb (256Kx36 & 512x18) and 4Mb (128Kx36 & 256Kx18) SRAM

• 8Mb: 256K x 36 or 512K x 18 organizations

4Mb: 128K x 36 or 256K x 18 organizations

• Registered Outputs

• Common I/O

• 0.25 Micron CMOS technology

• Asynchronous Output Enable

• Synchronous Power Down Input

• Synchronous Pipeline Mode of Operation with

Self-Timed Late Write

• Boundary Scan using limited set of JTAG

1149.1 functions

• Single Differential HSTL Clock

• +2.5V Power Supply, Ground, 1.5, 1.8V V

DDQ

• Byte Write Capability and Global Write Enable

and 0.90V V

REF

• 7 x 17 Bump Ball Grid Array Package with

SRAM JEDEC Standard Pinout and Boundary

SCAN Order

• HSTL Input and Output levels

• Registered Addresses, Write Enables, Synchro-

nous Select, and Data Ins

Description

The 4Mb and 8Mb SRAMs—IBM0436A41BLAB,

IBM0418A41BLAB, IBM0418A81BLAB, and

of the K clock, all Addresses, Write-Enables, Sync

Select, and Data Ins are registered internally. Data

Outs are updated from output registers off the next

rising edge of the K clock. An internal Write buffer

allows write data to follow one cycle after addresses

and controls. The device is operated with a single

+2.5V power supply and is compatible with HSTL

I/O interfaces.

IBM0436A81BLAB—are Synchronous Pipeline

Mode, high-performance CMOS Static Random

Access Memories that are versatile, wide I/O, and

can achieve 3ns cycle times. Differential K clocks

are used to initiate the read/write operation and all

internal operations are self-timed. At the rising edge

crrh2519.07

12/13/00

Use is further subject to the provisions at the end of this document.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IBM0418A81DLAB-3	ETC	x18 Fast Synchronous SRAM	获取价格
IBM0418A81DLAB-3F	ETC	SYNC SRAM\|512KX18\|CMOS\|BGA\|119PIN\|PLASTIC	获取价格
IBM0418A81DLAB-4	ETC	x18 Fast Synchronous SRAM	获取价格
IBM0418A81DLAB-5	ETC	x18 Fast Synchronous SRAM	获取价格
IBM0418A81MLAB-3	ETC	x18 Fast Synchronous SRAM	获取价格
IBM0418A81MLAB-3F	ETC	x18 Fast Synchronous SRAM	获取价格

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