Datasheet > IBM0418A4CFLBB-3

IBM0418A4CFLBB-3

更新时间： 2024-01-28 12:15:22

品牌	Logo	应用领域
国际商业机器公司 - IBM		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
26页	146K
描述
Standard SRAM, 256KX18, 1.8ns, CMOS, PBGA153, BGA-153

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IBM0418A4CFLBB-3 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA,	针数：	153
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.74
最长访问时间：	1.7 ns	JESD-30 代码：	R-PBGA-B153
长度：	22 mm	内存密度：	4718592 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	18
功能数量：	1	端子数量：	153
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	256KX18
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.679 mm	最大供电电压 (Vsup)：	2.75 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

IBM0418A4CFLBB-3 数据手册

IBM0418A8CFLBB IBM0436A8CFLBB

IBM0418A4CFLBB IBM0436A4CFLBB

Preliminary

8Mb (256Kx36 & 512Kx18) and 4Mb (128Kx36 & 256Kx18) SRAM

Features

• 8Mb: 256K x 36 or 512K x 18 organizations

4Mb: 128K x 36 or 256K x 18 organizations

• HSTL Outputs

• Registered Addresses, Controls, and Data Ins

• Burst Mode of operation

• Common I/O

• CMOS Technology

• Double Data Rate and Single Data Rate Syn-

chronous Modes of Operation

• Asynchronous Output Enable

• Pipeline Mode of Operation

• Boundary Scan using limited set of JTAG

1149.1 functions

• Self-Timed Late Write with Full Data Coherency

• Single Differential Extended HSTL Clock

• 9 x 17 Bump Ball Grid Array Package with

SRAM JEDEC Standard Pinout and Boundary

SCAN Order

• +2.5V Power Supply, Ground, 1.6V V_DDQ, and

1.05V V_REF

• Programmable Impedance Output Drivers

• Extended HSTL Input

Description

The IBM0436A4CFLBB, IBM0418A4CFLBB,

IBM0418A8CFLBB, and IBM0436A8CFLBB

clock, all Addresses, Controls, and Data Ins are reg-

istered internally. Data Outs are updated from out-

put registers off the next rising and falling edge of

the K clock, hence the Double Data Rate. Internal

Write buffers allow write data to follow one cycle

after addresses and controls. The chip is operated

with a single +2.5V power supply and is compatible

with HSTL I/O interfaces.

SRAMS are Synchronous Pipeline Mode, high-per-

formance CMOS Static Random Access Memories

that are versatile, have wide I/O, and achieve 3.0ns

cycle times. Differential CK clocks are used to ini-

tiate the read/write operation and all internal opera-

tions are self-timed. At the rising edge of the CK

cddrh251620.07

12/00

Use is further subject to the provisions at the end of this document.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IBM0418A81BLAB-5	IBM	获取价格	Standard SRAM, 512KX18, 2.25ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IBM0418A81DLAB-3	ETC	获取价格	x18 Fast Synchronous SRAM
IBM0418A81DLAB-3F	ETC	获取价格	SYNC SRAM\|512KX18\|CMOS\|BGA\|119PIN\|PLASTIC
IBM0418A81DLAB-4	ETC	获取价格	x18 Fast Synchronous SRAM
IBM0418A81DLAB-5	ETC	获取价格	x18 Fast Synchronous SRAM
IBM0418A81MLAB-3	ETC	获取价格	x18 Fast Synchronous SRAM
IBM0418A81MLAB-3F	ETC	获取价格	x18 Fast Synchronous SRAM
IBM0418A81MLAB-3N	ETC	获取价格	x18 Fast Synchronous SRAM
IBM0418A81MLAB-4	ETC	获取价格	x18 Fast Synchronous SRAM
IBM0418A81MLAB-5	ETC	获取价格	x18 Fast Synchronous SRAM

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