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IBM041812PQKB-8

更新时间： 2023-01-02 13:46:45

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国际商业机器公司 - IBM		静态存储器
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14页	218K
描述
Standard SRAM, 64KX18, 8ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

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IBM041812PQKB-8 数据手册

IBM041812PQKB

64K X 18 BURST SRAM

Preliminary

X18 TQFP Pin Array Layout

A10

DQP1

DQ8

DQ7

VSS

VDDQ

DQ6

DQ5

VSS

DQ9

DQ10

VSS

VDDQ

DQ11

DQ12

VDD

VSS

DQ13

DQ14

VDDQ

VSS

DQ15

DQ16

DQP2

DQ4

DQ3

VDDQ

VSS

DQ2

DQ1

Pin Description

A0-A15

DQa - DQb

CLK

Address input

ADSP

ADSC

ADV

Address Status Processor

Address status controller

Burst Advance Control

ADSP - Gated Chip Select

Power Supply (+3.3V)

Ground

Data Input/Output (1-8 , 9-16)

Clock

WEa

Write Enable, Byte a (1 to 8 & DQP1)

Write Enable, Byte b (9 to 16 & DQP2)

Output Enable

V_DD

WEb

V_SS

V_DDQ

Chip Selects

Output Power Supply (+3.3V)

No Connect

CS2, CS2

DQP1,DQP2

Parity bits for byte a, and byte b.

Use is further subject to the provisions at the end of this document.

26H4672

SA14-4663-01

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