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IBM041814PPLB-9

更新时间: 2024-01-03 04:35:05
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
12页 600K
描述
x18 Fast Synchronous SRAM

IBM041814PPLB-9 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:LCC包装说明:QCCJ, LDCC52,.8SQ
针数:52Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:9 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:S-PQCC-J52JESD-609代码:e0
长度:19.05 mm内存密度:1179648 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:18
功能数量:1端子数量:52
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX18
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ封装等效代码:LDCC52,.8SQ
封装形状:SQUARE封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.39 mm最大待机电流:0.025 A
最小待机电流:3.14 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.225 mA最大供电电压 (Vsup):3.465 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:19.05 mmBase Number Matches:1

IBM041814PPLB-9 数据手册

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