Datasheet > IBM04181AULAB-6P

IBM04181AULAB-6P

更新时间： 2024-01-31 21:09:30

品牌	Logo	应用领域
国际商业机器公司 - IBM		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
25页	128K
描述
Standard SRAM, 64KX18, 6ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

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IBM04181AULAB-6P 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Lifetime Buy
零件包装代码：	BGA	包装说明：	BGA, BGA119,7X17,50
针数：	119	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.62	最长访问时间：	6 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B119
JESD-609代码：	e0	长度：	22 mm
内存密度：	1179648 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端子数量：	119	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA119,7X17,50	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
电源：	2.5/3.3,3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.41 mm	最大待机电流：	0.025 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.45 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

IBM04181AULAB-6P 数据手册

IBM04181AULAB

IBM04361AULAB

Preliminary

Features

32K X 36 & 64K X 18 SRAM

• 32K x 36 or 64K x 18 Organizations

• 0.45 Micron CMOS Technology

• Common I/O

• 3.3V and 2.5V LVTTL I/O Compatible

• Registered Addresses, Write Enables, Synchro-

nous Select, and Data Ins

• Synchronous Register-Latch Mode Of Operation

with Self-Timed Late Write

• Single Differential PECL Clock compatible with

LVTTL Levels

• Latched Outputs

• Asynchronous Output Enable and Power Down

Inputs

• Single +3.3V Power Supply and Ground

• Boundary Scan using limited set of JTAG 1149.1

functions

• 7 X 17 Bump Ball Grid Array Package with

SRAM JEDEC-Standard Pinout and Boundary

SCAN Order

Description

Clock, all Addresses, Write-Enables, Sync Select

and Data Ins are registered internally. Data Outs are

updated from output latches off the falling edge of

the K Clock. An internal Write buffer allows write

data to follow one cycle after addresses and con-

trols. The chip is operated with a single +3.3V power

supply and is compatible with LVTTL I/O interfaces.

The IBM04181AULAB and IBM04361AULAB 1Mb

SRAMS are SynchronousRegister-Latch Mode, high

performance CMOS Static Random Access Memo-

ries that are versatile, wide I/O, and achieves 4 ns

cycle times. Dual differential K clocks are used to ini-

tiate the read/write operation and all internal opera-

tions are self-timed. At the rising edge of the K

Use is further subject to the provisions at the end of this document.

77H9967.T7

10/06/98

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