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IBM0418A11NLAA-3N

更新时间： 2024-02-16 14:17:41

品牌	Logo	应用领域
国际商业机器公司 - IBM		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	266K
描述
Standard SRAM, 64KX18, 2ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

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IBM0418A11NLAA-3N 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA,	针数：	119
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.78
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	2 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	JESD-30 代码：	R-PBGA-B119
长度：	22 mm	内存密度：	1179648 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	18
功能数量：	1	端子数量：	119
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	64KX18
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.57 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

IBM0418A11NLAA-3N 数据手册

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IBM0418A1ANLAA

IBM0436A1ANLAA

Preliminary

Features

32Kx36 & 64Kx18 SRAM

• 32K x 36 or 64K x 18 organizations

• Common I/O

• 0.25µ CMOS technology

• 30Ω Drivers

• Synchronous Register-Latch Mode of Operation

with Self-Timed Late Write

• Asynchronous Output Enable and Power Down

Inputs

• Single Differential PECL Clock

• Boundary Scan using limited set of JTAG

1149.1 functions

• +3.3V Power Supply, Ground, 2.5V V_DDQ

• 2.5V LVTTL Input and Output levels

• Byte Write Capability & Global Write Enable

• 7 x 17 Bump Ball Grid Array Package with

SRAM JEDEC Standard Pinout and Boundary

SCAN Order

• Registered Addresses, Write Enables, Synchro-

nous Select, and Data Ins

• Latched Outputs

Description

IBM0436A1ANLAA and IBM0418A1ANLAA are

1Mb Synchronous Register-Latch Mode, high-per-

formance CMOS Static Random Access Memories

(SRAM). These SRAMs are versatile, have a wide

input/output (I/O) interface, and can achieve cycle

times as short as 4.5ns. Differential K clocks are

used to initiate the read/write operation; all internal

operations are self-timed. At the rising edge of the K

clock, all address, write-enable, sync select, and

data input signals are registered internally. Data out-

puts are updated from output registers off the falling

edge of the K clock. An internal write buffer allows

write data to follow one cycle after addresses and

controls. The device is operated with a single +3.3V

power supply and is compatible with 2.5V LVTTL

I/O interfaces.

nrlL3325.00

08/06/2001

Use is further subject to the provisions at the end of this document.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IBM0418A41DLAB-3	IBM	Standard SRAM, 256KX18, 1.7ns, CMOS, PBGA119, BGA-119	获取价格
IBM0418A41DLAB-3F	ETC	x18 Fast Synchronous SRAM	获取价格
IBM0418A41DLAB-4	ETC	SYNC SRAM\|256KX18\|CMOS\|BGA\|119PIN\|PLASTIC	获取价格
IBM0418A41DLAB-5	ETC	x18 Fast Synchronous SRAM	获取价格
IBM0418A41ELAB-3	IBM	Standard SRAM, 256KX18, 1.7ns, CMOS, PBGA119, BGA-119	获取价格
IBM0418A41ELAB-3F	IBM	Standard SRAM, 256KX18, 1.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119	获取价格

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