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IBM0418A41NLAB-3

更新时间： 2024-01-06 23:14:54

品牌	Logo	应用领域
国际商业机器公司 - IBM		静态存储器
页数	文件大小	规格书
25页	477K
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Standard SRAM, 256KX18, 1.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

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IBM0418A41NLAB-3 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA, BGA119,7X17,50	针数：	119
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.51
最长访问时间：	2 ns	其他特性：	LATE WRITE
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B119
长度：	22 mm	内存密度：	4718592 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	18
功能数量：	1	端子数量：	119
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	256KX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA119,7X17,50
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	电源：	2.5,3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.679 mm
最大待机电流：	0.1 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.415 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

IBM0418A41NLAB-3 数据手册

IBM0436A41NLAB IBM0418A41NLAB

IBM0418A81NLAB IBM0436A81NLAB

8Mb (256Kx36 & 512Kx18) and 4Mb (128Kx36 & 256Kx18) SRAM

Features

• 8Mb: 256K x 36 or 512K x 18 organizations

4Mb: 128K x 36 or 256K x 18 organizations

• Registered outputs

• 30 Ω drivers

• 0.25 Micron CMOS technology

• Common I/O

• Synchronous pipeline mode of operation with

self-timed late write

• Asynchronous output enable

• Synchronous power down input

• Differential PECL clocks or 2.5V LVTTL swing

with one clock tied to V

DDQ

• Boundary scan using limited set of JTAG 1149.1

functions

• +3.3V power supply, ground, 2.5V V

• 2.5V LVTTL input and output levels

DDQ

• Byte write capability and global write enable

• 7 x 17 bump ball grid array package with SRAM

JEDEC standard pinout and boundary SCAN

order

• Registered addresses, write enables, synchro-

nous select, and data ins

Description

The 4Mb and 8Mb SRAMs—IBM0436A41NLAB,

IBM0418A41NLAB, IBM0418A81NLAB, and

IBM0436A81NLAB—are synchronous pipeline

mode, high-performance CMOS static random-

access memories that are versatile, have wide I/O,

and can achieve 3.0ns cycle times. Differential K

clocks are used to initiate the read/write operation

and all internal operations are self-timed. At the ris-

ing edge of the K clock, all addresses, write-

enables, synchronous select, and data ins are regis-

tered internally. Data outs are updated from output

registers on the next rising edge of the K clock. An

internal write buffer allows write data to follow one

cycle after addresses and controls. The device is

operated with a single +3.3V power supply and is

compatible with a 2.5V LVTTL I/O interface.

crrL3325.06.fm

June 13, 2002

Page 1 of 25

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IBM0418A41NLAB-3N	IBM	Standard SRAM, 256KX18, 2ns, CMOS, PBGA119, BGA-119	获取价格
IBM0418A41QLAA-3	ETC	x18 Fast Synchronous SRAM	获取价格
IBM0418A41QLAA-3N	ETC	x18 Fast Synchronous SRAM	获取价格
IBM0418A41QLAA-4	ETC	x18 Fast Synchronous SRAM	获取价格
IBM0418A41QLAA-5	ETC	x18 Fast Synchronous SRAM	获取价格
IBM0418A41QLAB-3	IBM	Standard SRAM, 256KX18, 1.7ns, CMOS, PBGA119, BGA-119	获取价格

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