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IBM04184ARLAD-6F

更新时间： 2024-01-19 02:58:54

品牌	Logo	应用领域
国际商业机器公司 - IBM		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	159K
描述
Standard SRAM, 256KX18, 6.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

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IBM04184ARLAD-6F 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Lifetime Buy	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA, BGA119,7X17,50	针数：	119
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.55
最长访问时间：	6.5 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B119	JESD-609代码：	e0
长度：	22 mm	内存密度：	4718592 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	18
功能数量：	1	端子数量：	119
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	256KX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA119,7X17,50
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2.5,3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.679 mm	最大待机电流：	0.12 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.45 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

IBM04184ARLAD-6F 数据手册

IBM04184ARLAD

IBM04364ARLAD

Preliminary

Features

128K x 36 & 256K x 18 SRAM

• Registered Addresses, Write Enables, Synchro-

nous Select and Data Ins

• 128K x 36 or 256K x 18 Organizations

CMOS Technology

•

• Latched Outputs

• Synchronous Register-Latch Mode Of Opera-

tion with Self-Timed Late Write

• Asynchronous Output Enable and Power Down

Inputs

• Single Differential PECL Clock compatible with

LVTTL Levels

• Boundary Scan using limited set of JTAG

1149.1 functions

•

+3.3V Power Supply, V

& Ground

DDQ

• Byte Write Capability & Global Write Enable

• Common I/O & LVTTL I/O Compatible

• 7 x 17 Bump Ball Grid Array Package with

SRAM JEDEC Standard Pinout and Boundary

SCAN Order.

Description

The IBM04184ARLAD and IBM04364ARLAD 4Mb

SRAMS are Synchronous Register-Latch Mode,

high performance CMOS Static Random Access

Memories that are versatile, wide I/O, and achieve

6ns cycle and 5.5ns access times. Dual differential

K clocks are used to initiate the read/write operation

and all internal operations are self-timed. At the ris-

ing edge of the K Clock, all Addresses, Write-

Enables, Sync Select, and Data Ins are registered

internally. Data Outs are updated from output

latches off the falling edge of the K Clock. An inter-

nal Write buffer allows write data to follow one cycle

after addresses and controls. The chip is operated

with a +3.3V power supply, has a 2.5V or 3.3V Out-

put Power Supply, and is compatible with LVTTL I/O

interfaces.

Use is further subject to the provisions at the end of this document.

75H4338

Revised 2/99

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与IBM04184ARLAD-6F相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IBM04184ARLAD-6N	IBM	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 7ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IBM04184BSLAA-7	ETC	获取价格	x18 Synchronous SRAM
IBM04188ETLAC-30	IBM	获取价格	Standard SRAM, 512KX18, 1.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IBM0418A11NLAA-3	IBM	获取价格	Standard SRAM, 64KX18, 1.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IBM0418A11NLAA-3N	IBM	获取价格	Standard SRAM, 64KX18, 2ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IBM0418A41DLAB-3	IBM	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 1.7ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IBM0418A41DLAB-3F	ETC	获取价格	x18 Fast Synchronous SRAM
IBM0418A41DLAB-4	ETC	获取价格	SYNC SRAM\|256KX18\|CMOS\|BGA\|119PIN\|PLASTIC
IBM0418A41DLAB-5	ETC	获取价格	x18 Fast Synchronous SRAM
IBM0418A41ELAB-3	IBM	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 1.7ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

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