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IBM04184AQLAD-6

更新时间： 2024-02-11 11:42:05

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x18 Fast Synchronous SRAM

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IBM04184AQLAD-6 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	End Of Life	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA, BGA119,7X17,50	针数：	119
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.85
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	6 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B119
JESD-609代码：	e0	长度：	22 mm
内存密度：	4718592 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端子数量：	119	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	256KX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA119,7X17,50	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.9,3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.679 mm
最大待机电流：	0.15 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.525 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

IBM04184AQLAD-6 数据手册

IBM04184AQLAD

IBM04364AQLAD

Preliminary

128K x 36 & 256K x 18 SRAM

Features

• 128K x 36 or 256K x 18 Organizations

• Common I/O

•

CMOS Technology

• Asynchronous Output Enable and Power Down

Inputs

• Synchronous Register Latch Mode Of Operation

with Self-Timed Late Write

• Boundary Scan using limited set of JTAG 1149.1

functions

• Single Differential Input and Output Clock

• Byte Write Capability & Global Write Enable

• +3.3V Power Supply, 1.9V V

Ground

, V

REF

DDQ

• 7 x 17 Bump Ball Grid Array Package with

SRAM JEDEC Standard Pinout and Boundary

SCAN Order

• Pseudo HSTL Input and Output levels

• Registered Addresses, Write Enables, Sync

Select and Data Ins

• Programmable Impedance Output Drivers

Description

The IBM04184AQLAD and IBM04364AQLAD 4Mb

SRAMS are Synchronous Register Latch Mode, high

performance CMOS Static Random Access Memo-

ries that are versatile, wide I/O, and achieve 5.0ns

access and cycle times. Dual differential K clocks

are used to initiate the read/write operation, and all

internal operations are self-timed. At the rising edge

of the K Clock, all Addresses, Write-Enables, Sync

Select, and Data Ins are registered internally. An

internal write buffer allows write data to follow one

cycle after addresses and controls. The chip is oper-

ated with a +3.3V core power supply, has a 1.9V or

1.5V output power supply, and is compatible with

HSTL I/O interfaces and 1.5V I/O levels as well.

Use is further subject to the provisions at the end of this document.

03K4297.E35614

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IBM04184ARLAA-6N	ETC	x18 Fast Synchronous SRAM	获取价格
IBM04184ARLAA-6P	ETC	x18 Fast Synchronous SRAM	获取价格
IBM04184ARLAD-6F	IBM	Standard SRAM, 256KX18, 6.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119	获取价格
IBM04184ARLAD-6N	IBM	Standard SRAM, 256KX18, 7ns, CMOS, PBGA119, BGA-119	获取价格
IBM04184BSLAA-7	ETC	x18 Synchronous SRAM	获取价格

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