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IBM041814PPLB-8

更新时间: 2024-02-26 08:51:22
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
12页 600K
描述
x18 Fast Synchronous SRAM

IBM041814PPLB-8 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:LCC包装说明:QCCJ, LDCC52,.8SQ
针数:52Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92最长访问时间:8.5 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:S-PQCC-J52
JESD-609代码:e0长度:19.05 mm
内存密度:1179648 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:18功能数量:1
端子数量:52字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX18输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:QCCJ
封装等效代码:LDCC52,.8SQ封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.39 mm
最大待机电流:0.025 A最小待机电流:3.14 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.225 mA
最大供电电压 (Vsup):3.465 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:19.05 mm
Base Number Matches:1

IBM041814PPLB-8 数据手册

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