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IBM041812PQKB-9

更新时间： 2024-01-06 13:31:17

品牌	Logo	应用领域
国际商业机器公司 - IBM		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	218K
描述
Standard SRAM, 64KX18, 9ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

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IBM041812PQKB-9 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	LQFP, QFP100,.63X.87
针数：	100	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.89	最长访问时间：	9 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e0	长度：	20 mm
内存密度：	1179648 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大待机电流：	0.025 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

IBM041812PQKB-9 数据手册

IBM043614PQK32K

x 36Burst (PowerPC), TQFP package.

IBM041812PQKB

Preliminary

Features

64K X 18 BURST SRAM

• 5 V Tolerant I/O

• 64K x 18 Synchronous Burst Mode SRAM

• 0.5µ CMOS Technology

• Asynchronous Output Enable

• Compatible with Pentium^TMand i486^TMproces-

sors

• Self-Timed Write Operation and Byte Write

Capability

• Supports Pentium^TMAddress Pipelining

• LVTTL I/O Compatible with common I/O

• Single +3.3 V ± 5% Power Supply and Ground

• Low Power Dissipation

- 1.1 W Active at 83MHz

- 90 mW Standby

• 100 Pin Thin Quad Flat Pack

• Registered Addresses, Data Ins and Control

Signals

Description

IBM Microelectronics 1M SRAM is a Synchronous

Burstable, high performance CMOS Static RAM that

is versatile, wide I/O, and achieves 8 nanosecond

access. A single clock is used to initiate the

read/write operation and all internal operations are

self-timed. At the rising edge of the Clock, all

Addresses, Data Ins and Control Signals are regis-

tered internally. Burst mode operation, is accom-

plished by integrating input registers, internal 2-bit

burst counter and high speed SRAM in a single chip.

Burst reads are initiated with either ADSP or ADSC

being LOW with a valid address during the rising

edge of clock. Data from this address plus the three

subsequent addresses will be output. The chip is

operated with a single +3.3 V power supply and is

compatible with LVTTL I/O interfaces.

Use is further subject to the provisions at the end of this document.

26H4672

SA14-4663-01

Revised 9/97

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