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IAUT260N10S5N019ATMA1

更新时间： 2024-01-24 13:23:08

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Power Field-Effect Transistor,

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IAUT260N10S5N019ATMA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	9 weeks 6 days
风险等级：	1.65	湿度敏感等级：	1
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IAUT260N10S5N019ATMA1 数据手册

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IAUT260N10S5N019

Values

typ.

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

min.

max.

Dynamic characteristics¹⁾

Input capacitance

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

C _iss

C _oss

C_rss

t _d(on)

t _r

9100

1462

11830 pF

1900

_GS=0 V, V_DS=50 V,

f =1 MHz

_DD=50 V, V_GS=10 V,

I _D=100 A, R _G=3.5 

t _d(off)

t _f

Turn-off delay time

Fall time

Gate Charge Characteristics¹⁾

Gate to source charge

Gate to drain charge

Gate charge total

Q _gs

166

Q _gd

V_DD=50 V, I _D=100 A,

_GS=0 to 10 V

Q _g

128

4.8

V_plateau

Gate plateau voltage

Reverse Diode

Diode continous forward current¹⁾

Diode pulse current¹⁾

I _S

260

T _C=25 °C

I _S,pulse

1040

V_GS=0 V, I _F=100 A,

T _j=25 °C

V_SD

Diode forward voltage

0.9

1.3

Reverse recovery time¹⁾

t _rr

V_R=50 V, I _F=50A,

di_F/dt =100 A/µs

Reverse recovery charge¹⁾

Q _rr

180

¹⁾Defined by design. Not subject to production test.

Rev. 1.0

page 3

2017-10-02

1 234 5 6 7...9

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