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HYS64V16220GDL-7.5-C2

更新时间: 2024-11-20 23:57:31
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英飞凌 - INFINEON 存储内存集成电路动态存储器PC
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15页 234K
描述
?128MB PC133 (3-3-3) 2-bank End-of-Life?

HYS64V16220GDL-7.5-C2 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:MODULE
包装说明:,针数:144
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.32风险等级:5.73
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:5.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-XDMA-N144
内存密度:1073741824 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度:64功能数量:1
端口数量:1端子数量:144
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX64
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HYS64V16220GDL-7.5-C2 数据手册

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144 pin SO-DIMM SDRAM Modules  
64MB & 128 MB PC100 / PC133  
HYS64V8200GDL  
HYS64V16220GDL  
144 Pin Eight Byte Small Outline Dual-In-Line Synchronous DRAM Modules  
for PC 100 and PC133 notebook applications  
one bank 8M x 64 and two bank 16M x 64 non-parity module organisation  
Performance:  
-7  
-7.5  
-8  
PC133  
2-2-2  
PC133  
3-3-3  
PC100  
2-2-2  
Units  
fCK  
tAC  
Clock frequency (max.)  
Clock access time  
133  
5.4  
133  
5.4  
100  
6
MHz  
ns  
Single +3.3V(± 0.3V ) power supply  
Programmable CAS Latency, Burst Length and Wrap Sequence  
(Sequential & Interleave)  
Auto Refresh (CBR) and Self Refresh  
Decoupling capacitors mounted on substrate  
All inputs, outputs are LVTTL compatible  
Serial Presence Detect with E2PROM  
Uses 8M x 16 128Mbit SDRAM components  
4096 refresh cycles every 64 ms  
Gold contact pad, JEDEC MO-190 outline dimensions  
This module family is fully compliant with the latest INTEL SO-DIMM layout and electrical  
specification  
All PC133 modules are fully backward compatible for PC100 applications.  
INFINEON Technologies  
1
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