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HYS64D128021HBDL-6-C

更新时间: 2024-11-11 13:08:27
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英飞凌 - INFINEON /
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23页 564K
描述
DDR DRAM Module, 128MX64, 0.7ns, CMOS, GREEN, SODIMM-200

HYS64D128021HBDL-6-C 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:MODULE
包装说明:DIMM,针数:200
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.36风险等级:5.58
Is Samacsys:N访问模式:DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.7 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-XDMA-N200内存密度:8589934592 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE内存宽度:64
功能数量:1端口数量:1
端子数量:200字数:134217728 words
字数代码:128000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128MX64封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HYS64D128021HBDL-6-C 数据手册

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Data Sheet, Rev. 0.5, Dez. 2003  
HYS64D128021[G/H]BDL–5–B  
HYS64D128021[G/H]BDL–6–B  
200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules  
SO-DIMM  
DDR SDRAM  
Green Product  
Lead Containing Product  
Memory Products  
N e v e r s t o p t h i n k i n g .  

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