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HYS64D16000GDL-6-B

更新时间: 2024-09-23 22:08:59
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英飞凌 - INFINEON 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
31页 739K
描述
200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules

HYS64D16000GDL-6-B 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:MODULE包装说明:DIMM, DIMM200,24
针数:200Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.32
风险等级:5.92Is Samacsys:N
访问模式:SINGLE BANK PAGE BURST最长访问时间:0.7 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):166 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDMA-N200
内存密度:1073741824 bit内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:64功能数量:1
端口数量:1端子数量:200
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX64
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM200,24
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:2.6 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
自我刷新:YES子类别:DRAMs
最大压摆率:1.14 mA最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:0.6 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

HYS64D16000GDL-6-B 数据手册

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Data Sheet, V1.2, Aug. 2003  
HYS64D32020GDL–[5/6/7/8]–B  
HYS64D1600xGDL–[6/7/8]–B  
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SO-DIMM  
DDR SDRAM  
Memory Products  
N e v e r s t o p t h i n k i n g .  

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