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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | MODULE | 包装说明： | DIMM, DIMM200,24 |
| 针数： | 200 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.32 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | SINGLE BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.7 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 166 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDMA-N200 |
| 内存密度： | 1073741824 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 64 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 200 |
| 字数： | 16777216 words | 字数代码： | 16000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 16MX64 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM | 封装等效代码： | DIMM200,24 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 2.6 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 自我刷新： | YES | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 1.14 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 0.6 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HYS64D16000GDL-6-C | INFINEON |
获取价格 |
200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules |
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| HYS64D16000GDL-6-C | QIMONDA |
获取价格 |
200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules |
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| HYS64D16000GDL-7-B | INFINEON |
获取价格 |
200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules |
|
| HYS64D16000GDL-8-B | INFINEON |
获取价格 |
200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules |
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| HYS64D16000GU-7-A | INFINEON |
获取价格 |
Unbuffered DDR SDRAM-Modules |
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| HYS64D16000GU-8-A | INFINEON |
获取价格 |
Unbuffered DDR SDRAM-Modules |
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| HYS64D16000HDL-6-B | INFINEON |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.7ns, CMOS, SODIMM-200 |
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| HYS64D16000HDL-6-C | QIMONDA |
获取价格 |
200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules |
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| HYS64D16000HDL-6-C | INFINEON |
获取价格 |
200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules |
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| HYS64D16000HDL-8-B | INFINEON |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.8ns, CMOS, SODIMM-200 |
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