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HYS64D16000GU-8-A

更新时间: 2024-11-10 22:18:07
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英飞凌 - INFINEON 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
30页 853K
描述
Unbuffered DDR SDRAM-Modules

HYS64D16000GU-8-A 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:DIMM, DIMM184针数:184
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.32风险等级:5.92
Is Samacsys:N访问模式:SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.8 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):125 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N184内存密度:1073741824 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE内存宽度:64
功能数量:1端口数量:1
端子数量:184字数:16777216 words
字数代码:16000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16MX64输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM184封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096自我刷新:YES
最大待机电流:0.036 A子类别:DRAMs
最大压摆率:2.16 mA最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

HYS64D16000GU-8-A 数据手册

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Data Sheet, Rev. 1.03, Jan. 2004  
HYS[64/72]D16000GU-[7/8]-A  
HYS[64/72]D32020GU-[7/8]-A  
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