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HYS64D16301HU-5-B

更新时间: 2024-11-12 09:59:19
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英飞凌 - INFINEON 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
51页 1356K
描述
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.6ns, CMOS, DIMM-184

HYS64D16301HU-5-B 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:DIMM,针数:184
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.32风险等级:5.84
访问模式:SINGLE BANK PAGE BURST最长访问时间:0.6 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-XDMA-N184
JESD-609代码:e3内存密度:1073741824 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE内存宽度:64
功能数量:1端口数量:1
端子数量:184字数:16777216 words
字数代码:16000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16MX64封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.5 V
标称供电电压 (Vsup):2.6 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

HYS64D16301HU-5-B 数据手册

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Data Sheet, V1.1, July 2003  
HYS[64/72]D64x20GU-x-B  
HYS[64/72]D32x00[G/E]U-x-B  
HYS64D16301GU-x-B  
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UDIMM  
DDR SDRAM  
Memory Products  
N e v e r s t o p t h i n k i n g .  

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