是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIMM | 包装说明: | DIMM, DIMM184 |
针数: | 184 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.36 |
风险等级: | 5.46 | 访问模式: | DUAL BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.7 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 166 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDMA-N184 | JESD-609代码: | e4 |
内存密度: | 8589934592 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM MODULE |
内存宽度: | 64 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 184 | 字数: | 134217728 words |
字数代码: | 128000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 128MX64 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIMM |
封装等效代码: | DIMM184 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 2.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 8192 | 自我刷新: | YES |
最大待机电流: | 0.074 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 1.94 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Gold (Au) |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HYS64D16000 | INFINEON |
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200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules | |
HYS64D16000GDL-6-B | INFINEON |
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200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules | |
HYS64D16000GDL-6-C | INFINEON |
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200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules | |
HYS64D16000GDL-6-C | QIMONDA |
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200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules | |
HYS64D16000GDL-7-B | INFINEON |
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200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules | |
HYS64D16000GDL-8-B | INFINEON |
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200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules | |
HYS64D16000GU-7-A | INFINEON |
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Unbuffered DDR SDRAM-Modules | |
HYS64D16000GU-8-A | INFINEON |
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Unbuffered DDR SDRAM-Modules | |
HYS64D16000HDL-6-B | INFINEON |
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DDR DRAM Module, 16MX64, 0.7ns, CMOS, SODIMM-200 | |
HYS64D16000HDL-6-C | QIMONDA |
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200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules |