是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIMM | 包装说明: | DIMM, DIMM184 |
针数: | 184 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.36 |
风险等级: | 5.84 | 访问模式: | DUAL BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.7 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDMA-N184 | JESD-609代码: | e3 |
内存密度: | 8589934592 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM MODULE |
内存宽度: | 64 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 184 |
字数: | 134217728 words | 字数代码: | 128000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128MX64 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIMM | 封装等效代码: | DIMM184 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 2.6 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
自我刷新: | YES | 最大待机电流: | 0.06 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 2.93 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HYS64D128320HU-5-B | INFINEON |
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184-Pin Unbuffered Dual-In-Line Memory Modules | |
HYS64D128320HU-5-B | QIMONDA |
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42184-Pin Unbuffered Double-Data-Rate Memory Modules | |
HYS64D128320HU-5-C | QIMONDA |
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184-Pin Unbuffered Double Data Rate SDRAM | |
HYS64D128320HU-6-B | QIMONDA |
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42184-Pin Unbuffered Double-Data-Rate Memory Modules | |
HYS64D128320HU-6-B | INFINEON |
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184-Pin Unbuffered Dual-In-Line Memory Modules | |
HYS64D128320HU-6-C | QIMONDA |
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184-Pin Unbuffered Double Data Rate SDRAM | |
HYS64D16000 | INFINEON |
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200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules | |
HYS64D16000GDL-6-B | INFINEON |
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200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules | |
HYS64D16000GDL-6-C | INFINEON |
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200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules | |
HYS64D16000GDL-6-C | QIMONDA |
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200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules |