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HYS64D128320GU-6-B

更新时间: 2024-11-10 22:08:59
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40页 1326K
描述
184-Pin Unbuffered Dual-In-Line Memory Modules

HYS64D128320GU-6-B 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIMM包装说明:DIMM, DIMM184
针数:184Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.84访问模式:DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.7 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):133 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N184JESD-609代码:e3
内存密度:8589934592 bit内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:64功能数量:1
端口数量:1端子数量:184
字数:134217728 words字数代码:128000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128MX64
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM184
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:2.6 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
自我刷新:YES最大待机电流:0.06 A
子类别:DRAMs最大压摆率:2.93 mA
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED

HYS64D128320GU-6-B 数据手册

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Data Sheet, Rev. 1.0, May. 2004  
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