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HY63V8400J-10I PDF预览

HY63V8400J-10I

更新时间： 2024-11-11 15:34:23
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 126K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36

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HY63V8400J-10I 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SOJ, SOJ36,.44Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.92最长访问时间：10 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J36
JESD-609代码：e0内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
端子数量：36字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装等效代码：SOJ36,.44封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.01 A最小待机电流：3 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.2 mA
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

HY63V8400J-10I 数据手册

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HY63V8400 Series  
512Kx8bit CMOS FAST SRAM  
PRELIMINARY  
DESCRIPTION  
FEATURES  
The HY63V8400 is a 4,194,304-bit high-speed  
Static Random Access Memory organized as  
524,288 words by 8-bits. The HY63V8400 uses  
eight common input and output lines and has an  
output enable pin which operates faster than.  
address access time at read cycle. The device is  
fabricated using Hyundai's advanced CMOS  
process and designed for high-speed circuit  
technology. It is particularly well suited for use in  
high-density high-speed system applications  
·
·
·
·
Single 3.3V±0.3V Power Supply  
Fully static operation and Tri-state output  
TTL compatible inputs and outputs  
Low data Retention Voltage:  
- 2.0V(min) –L-ver. Only  
Center Power/Ground Pin Configuration  
Standard pin configuration  
·
·
-
-
36pin 400mil SOJ  
44pin 400mil TSOP-ll  
Product  
No.  
Supply  
Voltage(V)  
Speed  
(ns)  
Operation  
Current(mA)  
Standby Current(mA)  
L
HY63V8400  
HY63V8400  
HY63V8400  
3.3  
3.3  
3.3  
10  
12  
15  
200  
190  
180  
10  
10  
10  
1
1
1
PIN CONNECTION  
BLOCK DIAGRAM  
ROW  
DECODER  
A0  
I/O1  
4 4  
4 3  
4 2  
4 1  
4 0  
3 9  
3 8  
3 7  
3 6  
3 5  
3 4  
3 3  
3 2  
3 1  
3 0  
2 9  
2 8  
2 7  
2 6  
2 5  
2 4  
2 3  
N C  
N C  
A 0  
A 1  
A 2  
A 3  
A 4  
N C  
1
N C  
2
A0  
A1  
NC  
1
2
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
N C  
3
A 1 8  
A 1 7  
A 1 6  
A 1 5  
/O E  
I / O 8  
I / O 7  
V s s  
V c c  
I / O 6  
I / O 5  
A 1 4  
A 1 3  
A 1 2  
A 1 1  
A 1 0  
N C  
4
A18  
A17  
A16  
A15  
/OE  
I/O8  
I/O7  
Vss  
Vcc  
I/O6  
I/O5  
A14  
A13  
A12  
A11  
A10  
NC  
A2  
5
3
6
A3  
4
7
A4  
5
MEMORY ARRAY  
512x1024x8  
8
/C S  
I / O 1  
I / O 2  
V c c  
V s s  
/CS  
I/O1  
I/O2  
Vcc  
Vss  
6
9
7
1 0  
1 1  
1 2  
1 3  
1 4  
1 5  
1 6  
1 7  
1 8  
1 9  
2 0  
2 1  
2 2  
T S O P - I I  
8
SOJ  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
I / O 3  
I / O 4  
/W E  
A 5  
I/O3  
I/O4  
/WE  
A5  
I/O8  
A 6  
A6  
A 7  
A7  
A 8  
A18  
A8  
A 9  
A9  
N C  
N C  
N C  
N C  
/CS  
/OE  
/WE  
SOJ  
TSOP-II  
PIN DESCRIPTION  
Pin Name  
Pin Function  
Pin Name  
A0~A18  
Vcc  
Pin Function  
Address Input  
Power(+3.3V)  
Ground  
/CS  
/WE  
/OE  
Chip Select  
Write Enable  
Output Enable  
Vss  
I/O1~I/O8 Data Input/Output  
NC  
No Connection  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev.02 / Jan.99  
Hyundai Semiconductor  
12345678

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