是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | TSOP, TSOP44,.46,32 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 12 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
端子数量: | 44 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 512KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP |
封装等效代码: | TSOP44,.46,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.01 A | 最小待机电流: | 3 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.19 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY63V8400T2-15 | HYNIX |
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Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 |
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HY6410 | ETC |
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Laser Diode Driver |
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HY64LD16162M | HYNIX |
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1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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HY64LD16162M-DF85C | ETC |
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PSEUDO-STATIC RAM|1MX16|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC |
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HY64LD16162M-DF85E | HYNIX |
获取价格 |
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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HY64LD16162M-DF85I | HYNIX |
获取价格 |
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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HY64LD16162M-E | HYNIX |
获取价格 |
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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HY64LD16162M-I | HYNIX |
获取价格 |
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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HY64LD16322M | ETC |
获取价格 |
x16|2.5(VDD)2.5(VDDQ)V|85|Pseudo SRAM - 32M |
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HY64LD16322M-DF85E | HYNIX |
获取价格 |
Pseudo Static RAM, 2MX16, 85ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48 |
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