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HY5Y5A6DF-PF PDF预览

HY5Y5A6DF-PF

更新时间： 2024-02-29 18:59:55
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 386K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54

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HY5Y5A6DF-PF 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FBGA, BGA54,9X9,32
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.84
最长访问时间：7 ns最大时钟频率 (fCLK)：105 MHz
I/O 类型：COMMON交错的突发长度：1,2,4,8
JESD-30 代码：S-PBGA-B54内存密度：268435456 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM内存宽度：16
端子数量：54字数：16777216 words
字数代码：16000000最高工作温度：70 °C
最低工作温度：-25 °C组织：16MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：FBGA封装等效代码：BGA54,9X9,32
封装形状：SQUARE封装形式：GRID ARRAY, FINE PITCH
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：8192连续突发长度：1,2,4,8,FP
最大待机电流：0.00035 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.165 mA表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOMBase Number Matches：1

HY5Y5A6DF-PF 数据手册

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HY5Y5A6DF-xF  
AC CHARACTERISTICS I (AC operating conditions unless otherwise noted)  
H
P
S
Parameter  
CAS Latency=3  
Unit  
Note  
Symbol  
tCK3  
Min  
Max  
Min  
9.5  
9.5  
3
Max  
Min  
9.5  
12  
3
Max  
System Clock  
Cycle Time  
7.5  
9.5  
1000  
1000  
1000  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
CAS Latency=2  
tCK2  
Clock High Pulse Width  
Clock Low Pulse Width  
tCHW  
tCLW  
2.5  
2.5  
-
-
-
-
-
7
7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
7
8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
1
2
3
3
Access Time From  
Clock  
CAS Latency=3  
CAS Latency=2  
tAC3  
tAC2  
tOH  
tDS  
5.4  
7
-
-
-
-
-
-
Data-out Hold Time  
Data-Input Setup Time  
Data-Input Hold Time  
2.5  
2
2.5  
2
2.5  
2
-
1
1
1
1
1
1
1
1
tDH  
tAS  
1
-
1
1
Address Setup Time  
Address Hold Time  
CKE Setup Time  
2
-
2
2
tAH  
1
-
1
1
tCKS  
tCKH  
tCS  
2
-
2
2
CKE Hold Time  
1
-
1
1
Command Setup Time  
Command Hold Time  
2
-
2
2
tCH  
1
-
1
1
CLK to Data Output in Low-Z Time  
tOLZ  
tOHZ3  
tOHZ2  
1
-
5.4  
1
-
-
7
1
-
-
7
CLK to Data Output in  
High-Z Time  
-
CAS Latency=3  
CAS Latency=2  
-
7
-
7
-
8
Note : 1. Assume tR / tF (input rise and fall time) is 1ns. If tR & tF > 1ns, then [(tR+tF)/2-1]ns should be added to  
the parameter.  
2. Access time to be measured with input signals of 1v/ns edge rate, from 0.8v to 0.2v. If tR > 1ns, then  
(tR/2-0.5)ns should be added to the parameter.  
Rev. 0.2 / June. 2003  
19  
1...1617181920212223

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与HY5Y5A6DF-PF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HY5Y5A6DFP-HF HYNIX

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 		DRAM
HY5Y5A6DF-SF HYNIX

获取价格

 		Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54
HY5Y5A6DLF-HF HYNIX

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 		Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 0.80 MM PITCH, FBGA-54
HY5Y5A6DLF-PF HYNIX

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 		Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54
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 		4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM

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