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HY5Y5A6DF-PF

更新时间: 2024-02-17 10:08:13
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 386K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54

HY5Y5A6DF-PF 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FBGA, BGA54,9X9,32
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.84
最长访问时间:7 ns最大时钟频率 (fCLK):105 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:S-PBGA-B54内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:16
端子数量:54字数:16777216 words
字数代码:16000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:-25 °C组织:16MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:FBGA封装等效代码:BGA54,9X9,32
封装形状:SQUARE封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.00035 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.165 mA表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOMBase Number Matches:1

HY5Y5A6DF-PF 数据手册

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HY5Y5A6DF-xF  
DC CHARACTERISTICS III - Normal (IDD6)  
Memory Array  
Temp.  
( C)  
Unit  
o
4 Banks  
2 Banks  
1 Bank  
45~70  
-25~45  
850  
550  
600  
450  
470  
400  
µA  
µA  
* HY5Y5A6DF-F Series  
DC CHARACTERISTICS III - Low Power (IDD6)  
Memory Array  
Temp.  
( C)  
Unit  
o
4 Banks  
650  
2 Banks  
450  
1 Bank  
320  
45~70  
µA  
µA  
-25~45  
400  
300  
240  
* HY5Y5A6DLF-F Series  
DC CHARACTERISTICS III - Super Low Power (IDD6)  
Memory Array  
Temp.  
( C)  
Unit  
o
4 Banks  
420  
2 Banks  
300  
1 Bank  
240  
45~70  
µA  
µA  
-25~45  
350  
270  
220  
* HY5Y5A6DSF-F Series  
DC CHARACTERISTICS III - Standard part (IDD6)  
Memory Array  
Temp.  
( C)  
Unit  
o
4 Banks  
< 850  
-25~70  
µA  
* HY5Y56DF-F  
Rev. 0.2 / June. 2003  
18  

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