生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | LQFP, QFP100,.63X.87 | 针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.8 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.7 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 250 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 2,4,8 | JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 |
长度: | 22 mm | 内存密度: | 134217728 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM | 内存宽度: | 32 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 100 | 字数: | 4194304 words |
字数代码: | 4000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 4MX32 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LQFP |
封装等效代码: | QFP100,.63X.87 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE | 电源: | 2.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
座面最大高度: | 1.6 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 2,4,8 | 最大待机电流: | 0.03 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.45 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.625 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.375 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | QUAD | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY5DU283222AQ-5 | HYNIX |
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128M(4Mx32) GDDR SDRAM | |
HY5DU283222AQP | HYNIX |
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128M(4Mx32) GDDR SDRAM | |
HY5DU283222AQP-33 | HYNIX |
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128M(4Mx32) GDDR SDRAM | |
HY5DU283222AQP-36 | HYNIX |
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128M(4Mx32) GDDR SDRAM | |
HY5DU283222AQP-4 | HYNIX |
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128M(4Mx32) GDDR SDRAM | |
HY5DU283222AQP-5 | HYNIX |
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128M(4Mx32) GDDR SDRAM | |
HY5DU283222BF | HYNIX |
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128M(4Mx32) GDDR SDRAM | |
HY5DU283222BF-2 | HYNIX |
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128M(4Mx32) GDDR SDRAM | |
HY5DU283222BF-22 | HYNIX |
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128M(4Mx32) GDDR SDRAM | |
HY5DU283222BF-25 | HYNIX |
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128M(4Mx32) GDDR SDRAM |