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HY5DU283222BF-22

更新时间: 2024-11-02 05:38:07
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海力士 - HYNIX 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
30页 262K
描述
128M(4Mx32) GDDR SDRAM

HY5DU283222BF-22 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:LFBGA, BGA144,12X12,32
针数:144Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.89访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.6 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):450 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8JESD-30 代码:S-PBGA-B144
JESD-609代码:e0长度:12 mm
内存密度:134217728 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:32功能数量:1
端口数量:1端子数量:144
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX32
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LFBGA封装等效代码:BGA144,12X12,32
封装形状:SQUARE封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:2.5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1.3 mm自我刷新:YES
连续突发长度:2,4,8最大待机电流:0.07 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.8 mA
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.375 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:12 mm
Base Number Matches:1

HY5DU283222BF-22 数据手册

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HY5DU283222BF(P)  
128M(4Mx32) GDDR SDRAM  
HY5DU283222BF(P)  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev. 1.2 / Jul. 2005  
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