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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | QFP | 包装说明： | LQFP, QFP100,.63X.87 |
| 针数： | 100 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.89 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.9 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 222 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 2,4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PQFP-G100 | 长度： | 20 mm |
| 内存密度： | 134217728 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 32 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 100 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 4MX32 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LQFP | 封装等效代码： | QFP100,.63X.87 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 2.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 4096 |
| 座面最大高度： | 1.6 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 2,4,8 | 最大待机电流： | 0.025 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.4 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.625 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.375 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.65 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 14 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY5DU283222Q-5 | HYNIX |
获取价格 |
128M(4Mx32) GDDR SDRAM |
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| HY5DU283222Q-55 | HYNIX |
获取价格 |
128M(4Mx32) GDDR SDRAM |
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| HY5DU283222Q-6 | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM, 4MX32, 0.7ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, LQFP-100 |
|
| HY5DU28422ALT | ETC |
获取价格 |
32Mx4|2.5V|4K|K/H/L|DDR SDRAM - 128M |
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| HY5DU28422ALT-H | ETC |
获取价格 |
DDR Synchronous DRAM |
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| HY5DU28422ALT-K | ETC |
获取价格 |
SDRAM|DDR|4X8MX4|CMOS|TSSOP|66PIN|PLASTIC |
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| HY5DU28422ALT-L | ETC |
获取价格 |
DDR Synchronous DRAM |
|
| HY5DU28422AT | ETC |
获取价格 |
32Mx4|2.5V|4K|K/H/L|DDR SDRAM - 128M |
|
| HY5DU28422AT-H | ETC |
获取价格 |
SDRAM|DDR|4X8MX4|CMOS|TSSOP|66PIN|PLASTIC |
|
| HY5DU28422AT-K | ETC |
获取价格 |
DDR Synchronous DRAM |
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