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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | QFP | 包装说明： | LQFP, QFP100,.63X.87 |
| 针数： | 100 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.82 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.9 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 200 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PQFP-G100 |
| 长度： | 20 mm | 内存密度： | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 32 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 100 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 4MX32 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LQFP |
| 封装等效代码： | QFP100,.63X.87 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 2.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 4096 | 座面最大高度： | 1.6 mm |
| 自我刷新： | YES | 连续突发长度： | 2,4,8 |
| 最大待机电流： | 0.02 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.37 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.625 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.375 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY5DU283222Q-55 | HYNIX |
获取价格 |
128M(4Mx32) GDDR SDRAM |
|
| HY5DU283222Q-6 | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM, 4MX32, 0.7ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, LQFP-100 |
|
| HY5DU28422ALT | ETC |
获取价格 |
32Mx4|2.5V|4K|K/H/L|DDR SDRAM - 128M |
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| HY5DU28422ALT-H | ETC |
获取价格 |
DDR Synchronous DRAM |
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| HY5DU28422ALT-K | ETC |
获取价格 |
SDRAM|DDR|4X8MX4|CMOS|TSSOP|66PIN|PLASTIC |
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| HY5DU28422ALT-L | ETC |
获取价格 |
DDR Synchronous DRAM |
|
| HY5DU28422AT | ETC |
获取价格 |
32Mx4|2.5V|4K|K/H/L|DDR SDRAM - 128M |
|
| HY5DU28422AT-H | ETC |
获取价格 |
SDRAM|DDR|4X8MX4|CMOS|TSSOP|66PIN|PLASTIC |
|
| HY5DU28422AT-K | ETC |
获取价格 |
DDR Synchronous DRAM |
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| HY5DU28422AT-L | ETC |
获取价格 |
DDR Synchronous DRAM |
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