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HY5DU28422DLT-L

更新时间: 2024-11-21 13:08:27
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海力士 - HYNIX 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
33页 341K
描述
DDR DRAM, 32MX4, 0.8ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66

HY5DU28422DLT-L 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSSOP, TSSOP66,.46针数:66
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.8 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):125 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8JESD-30 代码:R-PDSO-G66
JESD-609代码:e6长度:22.225 mm
内存密度:134217728 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:66
字数:33554432 words字数代码:32000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP66,.46
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096座面最大高度:1.194 mm
自我刷新:YES连续突发长度:2,4,8
子类别:DRAMs最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN BISMUTH
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

HY5DU28422DLT-L 数据手册

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Rev. 0.3/May. 02  
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