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HY5DU283222F-5

更新时间： 2024-11-18 04:22:43

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HY5DU283222F-5 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA144,12X12,32
针数：	144	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.89	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.9 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	S-PBGA-B144	长度：	12 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	144
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA144,12X12,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.02 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.625 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

HY5DU283222F

128M(4Mx32) GDDR SDRAM

HY5DU283222F

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Rev. 1.2/Sep. 02

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY5DU283222Q	HYNIX	获取价格	128M(4Mx32) GDDR SDRAM
HY5DU283222Q-33	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 4MX32, CMOS, PQFP100,
HY5DU283222Q-36	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 4MX32, CMOS, PQFP100,
HY5DU283222Q-4	HYNIX	获取价格	128M(4Mx32) GDDR SDRAM
HY5DU283222Q-45	HYNIX	获取价格	128M(4Mx32) GDDR SDRAM
HY5DU283222Q-5	HYNIX	获取价格	128M(4Mx32) GDDR SDRAM
HY5DU283222Q-55	HYNIX	获取价格	128M(4Mx32) GDDR SDRAM
HY5DU283222Q-6	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 4MX32, 0.7ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, LQFP-100
HY5DU28422ALT	ETC	获取价格	32Mx4\|2.5V\|4K\|K/H/L\|DDR SDRAM - 128M
HY5DU28422ALT-H	ETC	获取价格	DDR Synchronous DRAM