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HY5DU283222Q-33

更新时间: 2024-11-18 20:51:55
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
27页 284K
描述
DDR DRAM, 4MX32, CMOS, PQFP100,

HY5DU283222Q-33 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:QFP, QFP100,.63X.87
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最大时钟频率 (fCLK):300 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8JESD-30 代码:R-PQFP-G100
内存密度:134217728 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:32端子数量:100
字数:4194304 words字数代码:4000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX32输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:QFP
封装等效代码:QFP100,.63X.87封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK电源:2.5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
连续突发长度:2,4,8最大待机电流:0.03 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.45 mA
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.635 mm
端子位置:QUADBase Number Matches:1

HY5DU283222Q-33 数据手册

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HY5DU283222Q  
128M(4Mx32) DDR SDRAM  
HY5DU283222Q  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Electronics does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev. 1.2/Oct. 02  
1

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