Datasheet > 存储 > DRAM> HY5DU283222BFP-22

HY5DU283222BFP-22

更新时间： 2024-11-18 05:36:59

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HY5DU283222BFP-22 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA, BGA144,12X12,32
针数：	144	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	450 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	S-PBGA-B144	JESD-609代码：	e1
长度：	12 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	144	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装等效代码：	BGA144,12X12,32	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.3 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.07 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.8 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

HY5DU283222BF(P)

128M(4Mx32) GDDR SDRAM

HY5DU283222BF(P)

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 1.2 / Jul. 2005

12 3 4 5 6 7...30

中文翻译

下载PDF